Vishay Siliconix SQM200N04-1M1L_GE3
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- SQM200N04-1M1L_GE3
- Vishay Siliconix
- MOSFET N-CH 40V 200A TO263-7
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- SQM200N04-1M1L_GE3 Datenblatt
- TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
- Tape & Reel (TR)
-
Lead free / RoHS Compliant - 3519
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
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| Teilenummer SQM200N04-1M1L_GE3 |
| Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Hersteller Vishay Siliconix |
| Beschreibung MOSFET N-CH 40V 200A TO263-7 |
| Paket Tape & Reel (TR) |
| Serie TrenchFET® |
| Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montageart Surface Mount |
| Paket/Koffer TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
| Gerätepaket des Lieferanten TO-263-7 |
| Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
| Verlustleistung (max.) 375W (Tc) |
| FET-Typ N-Channel |
| FET-Funktion - |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 200A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.1mOhm @ 30A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @Id 2.5V @ 250µA |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 413 nC @ 10 V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 20655 pF @ 25 V |
| Vgs (Max) ±20V |
| Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 4.5V, 10V |
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