Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J307T(TE85L,F)
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- SSM3J307T(TE85L,F)
- Toshiba Semiconductor and Storage
- MOSFET P-CH 20V 5A TSM
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- SSM3J307T(TE85L,F) Datenblatt
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- -Reel®
-
Lead free / RoHS Compliant - 2984
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| Teilenummer SSM3J307T(TE85L,F) |
| Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage |
| Beschreibung MOSFET P-CH 20V 5A TSM |
| Paket -Reel® |
| Serie U-MOSV |
| Betriebstemperatur 150°C (TJ) |
| Montageart Surface Mount |
| Paket/Koffer TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Gerätepaket des Lieferanten TSM |
| Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
| Verlustleistung (max.) 700mW (Ta) |
| FET-Typ P-Channel |
| FET-Funktion - |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 5A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 31mOhm @ 4A, 4.5V |
| Vgs(th) (Max) @Id 1V @ 1mA |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 19 nC @ 4.5 V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 1170 pF @ 10 V |
| Vgs (Max) ±8V |
| Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 1.5V, 4.5V |
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