Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J215FE(TE85L,F
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- SSM6J215FE(TE85L,F
- Toshiba Semiconductor and Storage
- MOSFET P CH 20V 3.4A ES6
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- SSM6J215FE(TE85L,F Datenblatt
- SOT-563, SOT-666
- Cut Tape (CT)
-
Lead free / RoHS Compliant - 1018
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| Teilenummer SSM6J215FE(TE85L,F |
| Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage |
| Beschreibung MOSFET P CH 20V 3.4A ES6 |
| Paket Cut Tape (CT) |
| Serie U-MOSVI |
| Betriebstemperatur 150°C (TJ) |
| Montageart Surface Mount |
| Paket/Koffer SOT-563, SOT-666 |
| Gerätepaket des Lieferanten ES6 |
| Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
| Verlustleistung (max.) 500mW (Ta) |
| FET-Typ P-Channel |
| FET-Funktion - |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 3.4A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 59mOhm @ 3A, 4.5V |
| Vgs(th) (Max) @Id 1V @ 1mA |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 10.4 nC @ 4.5 V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 630 pF @ 10 V |
| Vgs (Max) ±8V |
| Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 1.5V, 4.5V |
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