Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K514NU,LF
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- SSM6K514NU,LF
- Toshiba Semiconductor and Storage
- MOSFET N-CH 40V 12A 6UDFNB
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- SSM6K514NU,LF Datenblatt
- 6-WDFN Exposed Pad
- Tape & Reel (TR)
-
Lead free / RoHS Compliant - 26134
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| Teilenummer SSM6K514NU,LF |
| Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage |
| Beschreibung MOSFET N-CH 40V 12A 6UDFNB |
| Paket Tape & Reel (TR) |
| Serie U-MOSIX-H |
| Betriebstemperatur 150°C |
| Montageart Surface Mount |
| Paket/Koffer 6-WDFN Exposed Pad |
| Gerätepaket des Lieferanten 6-UDFNB (2x2) |
| Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
| Verlustleistung (max.) 2.5W (Ta) |
| FET-Typ N-Channel |
| FET-Funktion - |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 12A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 11.6mOhm @ 4A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @Id 2.4V @ 100µA |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 7.5 nC @ 4.5 V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 1110 pF @ 20 V |
| Vgs (Max) ±20V |
| Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 4.5V, 10V |
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