STB100N6F7

STMicroelectronics STB100N6F7

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  • STB100N6F7
  • STMicroelectronics
  • MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK
  • Transistors - FETs, MOSFETs - Single
  • STB100N6F7 Datenblatt
  • TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Tape & Reel (TR)
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 13343
  • Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
  • 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Teilenummer
STB100N6F7
Kategorie
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Hersteller
STMicroelectronics
Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK
Paket
Tape & Reel (TR)
Serie
STripFET™ F7
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart
Surface Mount
Paket/Koffer
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gerätepaket des Lieferanten
D²PAK (TO-263)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Verlustleistung (max.)
125W (Tc)
FET-Typ
N-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
60 V
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C
100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.6mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @Id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
1980 pF @ 25 V
Vgs (Max)
±20V
Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On)
10V

STB100N6F7 Garantien

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