STB12NK80ZT4

STMicroelectronics STB12NK80ZT4

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  • STB12NK80ZT4
  • STMicroelectronics
  • MOSFET N-CH 800V 10.5A D2PAK
  • Transistors - FETs, MOSFETs - Single
  • STB12NK80ZT4 Datenblatt
  • TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Cut Tape (CT)
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 1302
  • Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
  • 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Teilenummer
STB12NK80ZT4
Kategorie
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Hersteller
STMicroelectronics
Beschreibung
MOSFET N-CH 800V 10.5A D2PAK
Paket
Cut Tape (CT)
Serie
SuperMESH™
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart
Surface Mount
Paket/Koffer
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gerätepaket des Lieferanten
D2PAK
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Verlustleistung (max.)
190W (Tc)
FET-Typ
N-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
800 V
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C
10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
750mOhm @ 5.25A, 10V
Vgs(th) (Max) @Id
4.5V @ 100µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
87 nC @ 10 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
2620 pF @ 25 V
Vgs (Max)
±30V
Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On)
10V

STB12NK80ZT4 Garantien

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