STMicroelectronics STB18N60M6
- STB18N60M6
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- STB18N60M6 Datenblatt
- TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Cut Tape (CT)
-
Lead free / RoHS Compliant - 1374
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| Teilenummer STB18N60M6 |
| Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Hersteller STMicroelectronics |
| Beschreibung MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK |
| Paket Cut Tape (CT) |
| Serie MDmesh™ M6 |
| Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montageart Surface Mount |
| Paket/Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Gerätepaket des Lieferanten D²PAK (TO-263) |
| Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
| Verlustleistung (max.) 110W (Tc) |
| FET-Typ N-Channel |
| FET-Funktion - |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 13A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 280mOhm @ 6.5A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @Id 4.75V @ 250µA |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 16.8 nC @ 10 V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 650 pF @ 100 V |
| Vgs (Max) ±25V |
| Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 10V |
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