STB18NM60ND

STMicroelectronics STB18NM60ND

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  • STB18NM60ND
  • STMicroelectronics
  • MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK
  • Transistors - FETs, MOSFETs - Single
  • STB18NM60ND Datenblatt
  • TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Tape & Reel (TR)
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 2324
  • Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
  • 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Teilenummer
STB18NM60ND
Kategorie
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Hersteller
STMicroelectronics
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK
Paket
Tape & Reel (TR)
Serie
FDmesh™ II
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Montageart
Surface Mount
Paket/Koffer
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gerätepaket des Lieferanten
D²PAK (TO-263)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Verlustleistung (max.)
110W (Tc)
FET-Typ
N-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600 V
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C
13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
290mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @Id
5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
34 nC @ 10 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
1030 pF @ 50 V
Vgs (Max)
±25V
Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On)
10V

STB18NM60ND Garantien

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