STB200NF04-1

STMicroelectronics STB200NF04-1

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  • STB200NF04-1
  • STMicroelectronics
  • MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
  • Transistors - FETs, MOSFETs - Single
  • STB200NF04-1 Datenblatt
  • TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
  • Cut Tape (CT)
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 17537
  • Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
  • 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Teilenummer
STB200NF04-1
Kategorie
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Hersteller
STMicroelectronics
Beschreibung
MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
Paket
Cut Tape (CT)
Serie
STripFET™ II
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart
Through Hole
Paket/Koffer
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Gerätepaket des Lieferanten
I2PAK
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Verlustleistung (max.)
310W (Tc)
FET-Typ
N-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
40 V
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C
120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.7mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th) (Max) @Id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
210 nC @ 10 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
5100 pF @ 25 V
Vgs (Max)
±20V
Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On)
10V

STB200NF04-1 Garantien

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