STMicroelectronics STB23NM60ND
- STB23NM60ND
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 600V 19.5A D2PAK
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- STB23NM60ND Datenblatt
- TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- -Reel®
-
Lead free / RoHS Compliant
- 4960
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
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Teilenummer STB23NM60ND |
Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Hersteller STMicroelectronics |
Beschreibung MOSFET N-CH 600V 19.5A D2PAK |
Paket -Reel® |
Serie FDmesh™ II |
Betriebstemperatur 150°C (TJ) |
Montageart Surface Mount |
Paket/Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Gerätepaket des Lieferanten D2PAK |
Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
Verlustleistung (max.) 150W (Tc) |
FET-Typ N-Channel |
FET-Funktion - |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 19.5A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs 180mOhm @ 10A, 10V |
Vgs(th) (Max) @Id 5V @ 250µA |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 70 nC @ 10 V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 2050 pF @ 50 V |
Vgs (Max) ±25V |
Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 10V |
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