STD180N4F6

STMicroelectronics STD180N4F6

Das Bild dient nur als Referenz, bitte beachten Sie die Produktspezifikation

  • STD180N4F6
  • STMicroelectronics
  • MOSFET N-CH 40V 80A DPAK
  • Transistors - FETs, MOSFETs - Single
  • STD180N4F6 Datenblatt
  • TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Cut Tape (CT)
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 8559
  • Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
  • 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Teilenummer
STD180N4F6
Kategorie
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Hersteller
STMicroelectronics
Beschreibung
MOSFET N-CH 40V 80A DPAK
Paket
Cut Tape (CT)
Serie
STripFET™
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart
Surface Mount
Paket/Koffer
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gerätepaket des Lieferanten
DPAK
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Verlustleistung (max.)
130W (Tc)
FET-Typ
N-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
40 V
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C
80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.8mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max) @Id
4.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
130 nC @ 10 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
7735 pF @ 25 V
Vgs (Max)
±20V
Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On)
10V

STD180N4F6 Garantien

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