STMicroelectronics STFI20N65M5
- STFI20N65M5
- STMicroelectronics
- MOSFET N CH 650V 18A I2PAKFP
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- STFI20N65M5 Datenblatt
- TO-262-3 Full Pack, I²Pak
- Cut Tape (CT)
-
Lead free / RoHS Compliant
- 4225
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
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Teilenummer STFI20N65M5 |
Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Hersteller STMicroelectronics |
Beschreibung MOSFET N CH 650V 18A I2PAKFP |
Paket Cut Tape (CT) |
Serie MDmesh™ V |
Betriebstemperatur 150°C (TJ) |
Montageart Through Hole |
Paket/Koffer TO-262-3 Full Pack, I²Pak |
Gerätepaket des Lieferanten I2PAKFP (TO-281) |
Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
Verlustleistung (max.) 130W (Tc) |
FET-Typ N-Channel |
FET-Funktion - |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 18A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs 190mOhm @ 9A, 10V |
Vgs(th) (Max) @Id 5V @ 250µA |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 45 nC @ 10 V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 1345 pF @ 100 V |
Vgs (Max) ±25V |
Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 10V |
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