STGW75M65DF2

STMicroelectronics STGW75M65DF2

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  • STGW75M65DF2
  • STMicroelectronics
  • TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
  • Transistors - IGBTs - Single
  • STGW75M65DF2 Datenblatt
  • TO-247-3
  • Tube
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 12168
  • Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
  • 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Teilenummer
STGW75M65DF2
Kategorie
Transistors - IGBTs - Single
Hersteller
STMicroelectronics
Beschreibung
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
Paket
Tube
Serie
M
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart
Through Hole
Paket/Koffer
TO-247-3
Gerätepaket des Lieferanten
TO-247-3
Power-Max
468 W
Eingabetyp
Standard
Reverse Recovery Time (trr)
165 ns
Strom - Kollektor (Ic) (Max)
120 A
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.)
650 V
IGBT-Typ
Trench Field Stop
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 75A
Gate-Gebühr
225 nC
Td (ein/aus) bei 25 °C
47ns/125ns
Testbedingung
400V, 75A, 3.3Ohm, 15V
Strom – Kollektor gepulst (Icm)
225 A
Energie wechseln
690µJ (on), 2.54mJ (off)

STGW75M65DF2 Garantien

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