STMicroelectronics STGW75M65DF2
- STGW75M65DF2
- STMicroelectronics
- TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
- Transistors - IGBTs - Single
- STGW75M65DF2 Datenblatt
- TO-247-3
- Tube
-
Lead free / RoHS Compliant
- 12168
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
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Teilenummer STGW75M65DF2 |
Kategorie Transistors - IGBTs - Single |
Hersteller STMicroelectronics |
Beschreibung TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE |
Paket Tube |
Serie M |
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) |
Montageart Through Hole |
Paket/Koffer TO-247-3 |
Gerätepaket des Lieferanten TO-247-3 |
Power-Max 468 W |
Eingabetyp Standard |
Reverse Recovery Time (trr) 165 ns |
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 120 A |
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) 650 V |
IGBT-Typ Trench Field Stop |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 75A |
Gate-Gebühr 225 nC |
Td (ein/aus) bei 25 °C 47ns/125ns |
Testbedingung 400V, 75A, 3.3Ohm, 15V |
Strom – Kollektor gepulst (Icm) 225 A |
Energie wechseln 690µJ (on), 2.54mJ (off) |
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