STGWT80H65DFB

STMicroelectronics STGWT80H65DFB

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  • STGWT80H65DFB
  • STMicroelectronics
  • IGBT 650V 120A 469W TO3P-3L
  • Transistors - IGBTs - Single
  • STGWT80H65DFB Datenblatt
  • TO-3P-3, SC-65-3
  • Tube
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 2566
  • Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
  • 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Teilenummer
STGWT80H65DFB
Kategorie
Transistors - IGBTs - Single
Hersteller
STMicroelectronics
Beschreibung
IGBT 650V 120A 469W TO3P-3L
Paket
Tube
Serie
-
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart
Through Hole
Paket/Koffer
TO-3P-3, SC-65-3
Gerätepaket des Lieferanten
TO-3P
Power-Max
469 W
Eingabetyp
Standard
Reverse Recovery Time (trr)
85 ns
Strom - Kollektor (Ic) (Max)
120 A
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.)
650 V
IGBT-Typ
Trench Field Stop
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2V @ 15V, 80A
Gate-Gebühr
414 nC
Td (ein/aus) bei 25 °C
84ns/280ns
Testbedingung
400V, 80A, 10Ohm, 15V
Strom – Kollektor gepulst (Icm)
240 A
Energie wechseln
2.1mJ (on), 1.5mJ (off)

STGWT80H65DFB Garantien

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