STMicroelectronics STGWT80H65DFB
- STGWT80H65DFB
- STMicroelectronics
- IGBT 650V 120A 469W TO3P-3L
- Transistors - IGBTs - Single
- STGWT80H65DFB Datenblatt
- TO-3P-3, SC-65-3
- Tube
-
Lead free / RoHS Compliant
- 2566
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
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Teilenummer STGWT80H65DFB |
Kategorie Transistors - IGBTs - Single |
Hersteller STMicroelectronics |
Beschreibung IGBT 650V 120A 469W TO3P-3L |
Paket Tube |
Serie - |
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) |
Montageart Through Hole |
Paket/Koffer TO-3P-3, SC-65-3 |
Gerätepaket des Lieferanten TO-3P |
Power-Max 469 W |
Eingabetyp Standard |
Reverse Recovery Time (trr) 85 ns |
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 120 A |
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) 650 V |
IGBT-Typ Trench Field Stop |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 80A |
Gate-Gebühr 414 nC |
Td (ein/aus) bei 25 °C 84ns/280ns |
Testbedingung 400V, 80A, 10Ohm, 15V |
Strom – Kollektor gepulst (Icm) 240 A |
Energie wechseln 2.1mJ (on), 1.5mJ (off) |
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