STMicroelectronics STGYA120M65DF2
- STGYA120M65DF2
- STMicroelectronics
- TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S
- Transistors - IGBTs - Single
- STGYA120M65DF2 Datenblatt
- TO-247-3 Exposed Pad
- Tube
-
Lead free / RoHS Compliant
- 28133
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
- 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Teilenummer STGYA120M65DF2 |
Kategorie Transistors - IGBTs - Single |
Hersteller STMicroelectronics |
Beschreibung TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S |
Paket Tube |
Serie M |
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) |
Montageart Through Hole |
Paket/Koffer TO-247-3 Exposed Pad |
Gerätepaket des Lieferanten MAX247™ |
Power-Max 625 W |
Eingabetyp Standard |
Reverse Recovery Time (trr) 202 ns |
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 160 A |
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) 650 V |
IGBT-Typ NPT, Trench Field Stop |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.95V @ 15V, 120A |
Gate-Gebühr 420 nC |
Td (ein/aus) bei 25 °C 66ns/185ns |
Testbedingung 400V, 120A, 4.7Ohm, 15V |
Strom – Kollektor gepulst (Icm) 360 A |
Energie wechseln 1.8mJ (on), 4.41mJ (off) |
STGYA120M65DF2 Garantien
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