STMicroelectronics STH10N80K5-2AG
- STH10N80K5-2AG
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 800V 8A H2PAK-2
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- STH10N80K5-2AG Datenblatt
- TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Tape & Reel (TR)
-
Lead free / RoHS Compliant - 2194
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
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| Teilenummer STH10N80K5-2AG |
| Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Hersteller STMicroelectronics |
| Beschreibung MOSFET N-CH 800V 8A H2PAK-2 |
| Paket Tape & Reel (TR) |
| Serie Automotive, AEC-Q101 |
| Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montageart Surface Mount |
| Paket/Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Gerätepaket des Lieferanten H2Pak-2 |
| Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
| Verlustleistung (max.) 121W (Tc) |
| FET-Typ N-Channel |
| FET-Funktion - |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) 800 V |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 8A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 680mOhm @ 4A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @Id 5V @ 100µA |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 17.3 nC @ 10 V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 426 pF @ 100 V |
| Vgs (Max) ±30V |
| Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 10V |
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