STMicroelectronics STH10N80K5-2AG
- STH10N80K5-2AG
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 800V 8A H2PAK-2
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- STH10N80K5-2AG Datenblatt
- TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Tape & Reel (TR)
-
Lead free / RoHS Compliant
- 2194
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
- 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Teilenummer STH10N80K5-2AG |
Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Hersteller STMicroelectronics |
Beschreibung MOSFET N-CH 800V 8A H2PAK-2 |
Paket Tape & Reel (TR) |
Serie Automotive, AEC-Q101 |
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montageart Surface Mount |
Paket/Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Gerätepaket des Lieferanten H2Pak-2 |
Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
Verlustleistung (max.) 121W (Tc) |
FET-Typ N-Channel |
FET-Funktion - |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 800 V |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 8A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs 680mOhm @ 4A, 10V |
Vgs(th) (Max) @Id 5V @ 100µA |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 17.3 nC @ 10 V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 426 pF @ 100 V |
Vgs (Max) ±30V |
Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 10V |
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