STH180N4F6-2

STMicroelectronics STH180N4F6-2

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  • STH180N4F6-2
  • STMicroelectronics
  • MOSFET N-CH 40V 120A H2PAK-2
  • Transistors - FETs, MOSFETs - Single
  • STH180N4F6-2 Datenblatt
  • TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Tape & Reel (TR)
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 3870
  • Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
  • 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Teilenummer
STH180N4F6-2
Kategorie
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Hersteller
STMicroelectronics
Beschreibung
MOSFET N-CH 40V 120A H2PAK-2
Paket
Tape & Reel (TR)
Serie
STripFET™ F6
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart
Surface Mount
Paket/Koffer
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gerätepaket des Lieferanten
H2Pak-2
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Verlustleistung (max.)
190W (Tc)
FET-Typ
N-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
40 V
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C
120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.4mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max) @Id
4.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
130 nC @ 10 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
7735 pF @ 25 V
Vgs (Max)
±20V
Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On)
10V

STH180N4F6-2 Garantien

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