STMicroelectronics STL100N10F7
- STL100N10F7
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 100V 80A POWERFLAT
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- STL100N10F7 Datenblatt
- 8-PowerVDFN
- Cut Tape (CT)
-
Lead free / RoHS Compliant
- 10682
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
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Teilenummer STL100N10F7 |
Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Hersteller STMicroelectronics |
Beschreibung MOSFET N-CH 100V 80A POWERFLAT |
Paket Cut Tape (CT) |
Serie DeepGATE™, STripFET™ VII |
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) |
Montageart Surface Mount |
Paket/Koffer 8-PowerVDFN |
Gerätepaket des Lieferanten PowerFlat™ (5x6) |
Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
Verlustleistung (max.) 5W (Ta), 100W (Tc) |
FET-Typ N-Channel |
FET-Funktion - |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 80A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.3mOhm @ 19A, 10V |
Vgs(th) (Max) @Id 4V @ 250µA |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 80 nC @ 10 V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 5680 pF @ 50 V |
Vgs (Max) ±20V |
Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 10V |
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