STMicroelectronics STP10N60M2
- STP10N60M2
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- STP10N60M2 Datenblatt
- TO-220-3
- Tube
-
Lead free / RoHS Compliant
- 28821
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
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Teilenummer STP10N60M2 |
Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Hersteller STMicroelectronics |
Beschreibung MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220 |
Paket Tube |
Serie MDmesh™ II Plus |
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montageart Through Hole |
Paket/Koffer TO-220-3 |
Gerätepaket des Lieferanten TO-220 |
Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
Verlustleistung (max.) 85W (Tc) |
FET-Typ N-Channel |
FET-Funktion - |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 7.5A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs 600mOhm @ 3A, 10V |
Vgs(th) (Max) @Id 4V @ 250µA |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 13.5 nC @ 10 V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 400 pF @ 100 V |
Vgs (Max) ±25V |
Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 10V |
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