STMicroelectronics STP165N10F4
- STP165N10F4
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- STP165N10F4 Datenblatt
- TO-220-3
- Tape & Reel (TR)
-
Lead free / RoHS Compliant
- 4486
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
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Teilenummer STP165N10F4 |
Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Hersteller STMicroelectronics |
Beschreibung MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB |
Paket Tape & Reel (TR) |
Serie DeepGATE™, STripFET™ |
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montageart Through Hole |
Paket/Koffer TO-220-3 |
Gerätepaket des Lieferanten TO-220 |
Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
Verlustleistung (max.) 315W (Tc) |
FET-Typ N-Channel |
FET-Funktion - |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 120A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.5mOhm @ 60A, 10V |
Vgs(th) (Max) @Id 4V @ 250µA |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 180 nC @ 10 V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 10500 pF @ 25 V |
Vgs (Max) ±20V |
Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 10V |
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