STMicroelectronics STP70N10F4
- STP70N10F4
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 100V 65A TO220-3
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- STP70N10F4 Datenblatt
- TO-220-3
- Tube
-
Lead free / RoHS Compliant
- 2397
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
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Teilenummer STP70N10F4 |
Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Hersteller STMicroelectronics |
Beschreibung MOSFET N-CH 100V 65A TO220-3 |
Paket Tube |
Serie DeepGATE™, STripFET™ |
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) |
Montageart Through Hole |
Paket/Koffer TO-220-3 |
Gerätepaket des Lieferanten TO-220 |
Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
Verlustleistung (max.) 150W (Tc) |
FET-Typ N-Channel |
FET-Funktion - |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 65A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs 19.5mOhm @ 30A, 10V |
Vgs(th) (Max) @Id 4V @ 250µA |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 85 nC @ 10 V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 5800 pF @ 25 V |
Vgs (Max) ±20V |
Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 10V |
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