STMicroelectronics STW68N65DM6-4AG
- STW68N65DM6-4AG
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 650V 72A TO247-4
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- STW68N65DM6-4AG Datenblatt
- TO-247-4
- Tube
-
Lead free / RoHS Compliant - 4444
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
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| Teilenummer STW68N65DM6-4AG |
| Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Hersteller STMicroelectronics |
| Beschreibung MOSFET N-CH 650V 72A TO247-4 |
| Paket Tube |
| Serie Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ |
| Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montageart Through Hole |
| Paket/Koffer TO-247-4 |
| Gerätepaket des Lieferanten TO-247-4 |
| Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
| Verlustleistung (max.) 480W (Tc) |
| FET-Typ N-Channel |
| FET-Funktion - |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 72A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 39mOhm @ 36A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @Id 4.75V @ 250µA |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 118 nC @ 10 V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 5900 pF @ 100 V |
| Vgs (Max) ±25V |
| Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) - |
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