STMicroelectronics STW68N65DM6-4AG
- STW68N65DM6-4AG
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 650V 72A TO247-4
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- STW68N65DM6-4AG Datenblatt
- TO-247-4
- Tube
-
Lead free / RoHS Compliant
- 4444
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
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Teilenummer STW68N65DM6-4AG |
Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Hersteller STMicroelectronics |
Beschreibung MOSFET N-CH 650V 72A TO247-4 |
Paket Tube |
Serie Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ |
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montageart Through Hole |
Paket/Koffer TO-247-4 |
Gerätepaket des Lieferanten TO-247-4 |
Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
Verlustleistung (max.) 480W (Tc) |
FET-Typ N-Channel |
FET-Funktion - |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 72A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs 39mOhm @ 36A, 10V |
Vgs(th) (Max) @Id 4.75V @ 250µA |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 118 nC @ 10 V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 5900 pF @ 100 V |
Vgs (Max) ±25V |
Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) - |
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