Vishay Siliconix SUD09P10-195-GE3
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- SUD09P10-195-GE3
- Vishay Siliconix
- MOSFET P-CH 100V 8.8A TO252
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- SUD09P10-195-GE3 Datenblatt
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Cut Tape (CT)
-
Lead free / RoHS Compliant - 4589
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| Teilenummer SUD09P10-195-GE3 |
| Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Hersteller Vishay Siliconix |
| Beschreibung MOSFET P-CH 100V 8.8A TO252 |
| Paket Cut Tape (CT) |
| Serie TrenchFET® |
| Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montageart Surface Mount |
| Paket/Koffer TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Gerätepaket des Lieferanten TO-252AA |
| Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
| Verlustleistung (max.) 2.5W (Ta), 32.1W (Tc) |
| FET-Typ P-Channel |
| FET-Funktion - |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 8.8A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 195mOhm @ 3.6A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @Id 2.5V @ 250µA |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 34.8 nC @ 10 V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 1055 pF @ 50 V |
| Vgs (Max) ±20V |
| Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 4.5V, 10V |
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Bemerkungen
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