Vishay Siliconix SUD50P10-43L-E3
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- SUD50P10-43L-E3
- Vishay Siliconix
- MOSFET P-CH 100V 37.1A TO252
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- SUD50P10-43L-E3 Datenblatt
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Tube
-
Lead free / RoHS Compliant - 746
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| Teilenummer SUD50P10-43L-E3 |
| Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Hersteller Vishay Siliconix |
| Beschreibung MOSFET P-CH 100V 37.1A TO252 |
| Paket Tube |
| Serie TrenchFET® |
| Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montageart Surface Mount |
| Paket/Koffer TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Gerätepaket des Lieferanten TO-252AA |
| Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
| Verlustleistung (max.) 8.3W (Ta), 136W (Tc) |
| FET-Typ P-Channel |
| FET-Funktion - |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 37.1A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 43mOhm @ 9.2A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @Id 3V @ 250µA |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 160 nC @ 10 V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 4600 pF @ 50 V |
| Vgs (Max) ±20V |
| Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 4.5V, 10V |
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