Vishay Siliconix SUM90N06-4M4P-E3
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- SUM90N06-4M4P-E3
- Vishay Siliconix
- MOSFET N-CH 60V 90A TO263
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- SUM90N06-4M4P-E3 Datenblatt
- TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Cut Tape (CT)
-
Lead free / RoHS Compliant - 29576
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| Teilenummer SUM90N06-4M4P-E3 |
| Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Hersteller Vishay Siliconix |
| Beschreibung MOSFET N-CH 60V 90A TO263 |
| Paket Cut Tape (CT) |
| Serie TrenchFET® |
| Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montageart Surface Mount |
| Paket/Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Gerätepaket des Lieferanten TO-263 (D²Pak) |
| Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
| Verlustleistung (max.) 3.75W (Ta), 300W (Tc) |
| FET-Typ N-Channel |
| FET-Funktion - |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 90A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.4mOhm @ 20A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @Id 4.5V @ 250µA |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 160 nC @ 10 V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 6190 pF @ 30 V |
| Vgs (Max) ±20V |
| Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 10V |
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