Kioxia America, Inc. TC58CYG2S0HRAIG
- TC58CYG2S0HRAIG
- Kioxia America, Inc.
- IC FLASH 4GBIT SPI 104MHZ 8WSON
- Memory
- TC58CYG2S0HRAIG Datenblatt
- 8-WDFN Exposed Pad
- Tray
-
Lead free / RoHS Compliant
- 14327
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
- 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
- Klicken Sie hier, um Preise zu erhalten
Teilenummer TC58CYG2S0HRAIG |
Kategorie Memory |
Hersteller Kioxia America, Inc. |
Beschreibung IC FLASH 4GBIT SPI 104MHZ 8WSON |
Paket Tray |
Serie - |
Spannung - Versorgung 1.7V ~ 1.95V |
Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C |
Montageart Surface Mount |
Paket/Koffer 8-WDFN Exposed Pad |
Gerätepaket des Lieferanten 8-WSON (6x8) |
Speichergröße 4Gb (512M x 8) |
Technologie FLASH - NAND (SLC) |
Speichertyp Non-Volatile |
Taktfrequenz 104 MHz |
Zugriffszeit - |
Gedächtnis-Format FLASH |
Schreibzykluszeit – Wort, Seite - |
Speicherschnittstelle SPI |
TC58CYG2S0HRAIG Garantien
• Antworten Sie umgehend
• Garantierte Qualität
• Globaler Zugang
• Wettbewerbsfähiger Marktpreis
• One-Stop-Support für die Lieferkette
Jinftry, es ist Ihr vertrauenswürdigster Zulieferer. Bitte senden Sie uns die Anfrage. Vielen Dank!
Haben Sie Fragen zu TC58CYG2S0HRAIG ?
Fühlen Sie sich frei uns zu kontaktieren:
+86-755-28503874
+8615019224070, annies65, +8615118125813
568248857, 827259012, 316249462
+8615019224070, +8615118118839, +8615118125813
( E-Mail zuerst wird dankbar sein )
Bemerkungen
Kioxia America, Inc.

KIOXIA America, Inc., formerly known as Toshiba Memory, was a subsidiary of Toshiba Corporation. Toshiba invented NAND flash memory in 1987 and spun off Toshiba Memory from Toshiba Corporation in April 2017. It was officially...

TH58BVG2S3HBAI6
IC FLASH 4G 67VFBGA

TH58BYG3S0HBAI4
IC FLASH 4G 67VFBGA

TH58NVG2S3HBAI6
IC FLASH 4G 67VFBGA

TH58NYG2S3HBAI6
IC FLASH 4G 67VFBGA

THGBMHG6C1LBAU6
IC FLASH 4G 67VFBGA

THGBMHG7C2LBAU7
IC FLASH 4G 67VFBGA

THGBMHG8C4LBAU7
IC FLASH 4G 67VFBGA

THGBMHG9C8LBAU8
IC FLASH 4G 67VFBGA