Kioxia America, Inc. TH58NYG3S0HBAI6
- TH58NYG3S0HBAI6
- Kioxia America, Inc.
- IC FLASH 8GBIT PARALLEL 67VFBGA
- Memory
- TH58NYG3S0HBAI6 Datenblatt
- 67-VFBGA
- Tray
-
Lead free / RoHS Compliant
- 6479
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
- 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Teilenummer TH58NYG3S0HBAI6 |
Kategorie Memory |
Hersteller Kioxia America, Inc. |
Beschreibung IC FLASH 8GBIT PARALLEL 67VFBGA |
Paket Tray |
Serie - |
Spannung - Versorgung 1.7V ~ 1.95V |
Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) |
Montageart Surface Mount |
Paket/Koffer 67-VFBGA |
Gerätepaket des Lieferanten 67-VFBGA (6.5x8) |
Speichergröße 8Gb (1G x 8) |
Technologie FLASH - NAND (SLC) |
Speichertyp Non-Volatile |
Taktfrequenz - |
Zugriffszeit 25 ns |
Gedächtnis-Format FLASH |
Schreibzykluszeit – Wort, Seite 25ns |
Speicherschnittstelle Parallel |
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Bemerkungen
Kioxia America, Inc.

KIOXIA America, Inc., formerly known as Toshiba Memory, was a subsidiary of Toshiba Corporation. Toshiba invented NAND flash memory in 1987 and spun off Toshiba Memory from Toshiba Corporation in April 2017. It was officially...

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