NTE Electronics, Inc TIP35E
- TIP35E
- NTE Electronics, Inc
- T-NPN SI- PWR AMP
- Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TIP35E Datenblatt
- TO-247-3
- Bag
- Lead free / RoHS Compliant
- 3160
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
- 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Part Number TIP35E |
Category Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
Manufacturer NTE Electronics, Inc |
Description T-NPN SI- PWR AMP |
Package Bag |
Series - |
Operating Temperature -65°C ~ 150°C (TJ) |
Mounting Type Through Hole |
Package / Case TO-247-3 |
Supplier Device Package TO-247 |
Power - Max 125 W |
Transistor Type NPN |
Current - Collector (Ic) (Max) 25 A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 140 V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 5V @ 6.25A, 25A |
Current - Collector Cutoff (Max) 1mA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 25 @ 1.5A, 4V |
Frequency - Transition 3MHz |
Package_case TO-247-3 |
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