Toshiba Semiconductor and Storage TK14C65W5,S1Q
- TK14C65W5,S1Q
- Toshiba Semiconductor and Storage
- MOSFET N-CH 650V 13.7A I2PAK
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TK14C65W5,S1Q Datenblatt
- TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
- Cut Tape (CT)
-
Lead free / RoHS Compliant
- 3903
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
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Teilenummer TK14C65W5,S1Q |
Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage |
Beschreibung MOSFET N-CH 650V 13.7A I2PAK |
Paket Cut Tape (CT) |
Serie DTMOSIV |
Betriebstemperatur 150°C (TJ) |
Montageart Through Hole |
Paket/Koffer TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Gerätepaket des Lieferanten I2PAK |
Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
Verlustleistung (max.) 130W (Tc) |
FET-Typ N-Channel |
FET-Funktion - |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 13.7A (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs 300mOhm @ 6.9A, 10V |
Vgs(th) (Max) @Id 4.5V @ 690µA |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 40 nC @ 10 V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 1300 pF @ 300 V |
Vgs (Max) ±30V |
Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 10V |
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