TK14C65W5,S1Q

Toshiba Semiconductor and Storage TK14C65W5,S1Q

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  • TK14C65W5,S1Q
  • Toshiba Semiconductor and Storage
  • MOSFET N-CH 650V 13.7A I2PAK
  • Transistors - FETs, MOSFETs - Single
  • TK14C65W5,S1Q Datenblatt
  • TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
  • Cut Tape (CT)
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 3903
  • Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
  • 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Teilenummer
TK14C65W5,S1Q
Kategorie
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 13.7A I2PAK
Paket
Cut Tape (CT)
Serie
DTMOSIV
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Montageart
Through Hole
Paket/Koffer
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Gerätepaket des Lieferanten
I2PAK
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Verlustleistung (max.)
130W (Tc)
FET-Typ
N-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C
13.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
300mOhm @ 6.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @Id
4.5V @ 690µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
1300 pF @ 300 V
Vgs (Max)
±30V
Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On)
10V

TK14C65W5,S1Q Garantien

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