Toshiba Semiconductor and Storage TK16G60W,RVQ
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- TK16G60W,RVQ
- Toshiba Semiconductor and Storage
- MOSFET N CH 600V 15.8A D2PAK
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TK16G60W,RVQ Datenblatt
- TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- -Reel®
-
Lead free / RoHS Compliant - 16935
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| Teilenummer TK16G60W,RVQ |
| Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage |
| Beschreibung MOSFET N CH 600V 15.8A D2PAK |
| Paket -Reel® |
| Serie DTMOSIV |
| Betriebstemperatur 150°C (TJ) |
| Montageart Surface Mount |
| Paket/Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Gerätepaket des Lieferanten D2PAK |
| Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
| Verlustleistung (max.) 130W (Tc) |
| FET-Typ N-Channel |
| FET-Funktion Super Junction |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 15.8A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 190mOhm @ 7.9A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @Id 3.7V @ 790µA |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 38 nC @ 10 V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 1350 pF @ 300 V |
| Vgs (Max) ±30V |
| Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 10V |
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