TK370A60F,S4X(S

Toshiba Semiconductor and Storage TK370A60F,S4X(S

Name: TK370A60F,S4X(S
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK370A60F-S4X-S
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)
Author: Jinftry

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Artikelnummer： TK370A60F,S4X(S
Hersteller： Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung:MOSFET N-CH
Kategorie： Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt： TK370A60F,S4X(S Datenblatt
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Paket/Fall： TO-220-3 Full Pack
Paket： Box
RoHS： Lead free / RoHS Compliant
Lagermenge： 13067
Bestandsressourcen：Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
Qualitätsgarantie：1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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TK370A60F,S4X(S Spezifikationen

Teilenummer
TK370A60F,S4X(S

Kategorie
Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage

Beschreibung
MOSFET N-CH

Paket
Box

Serie
U-MOSIX

Betriebstemperatur
150°C

Montageart
Through Hole

Paket/Koffer
TO-220-3 Full Pack

Gerätepaket des Lieferanten
TO-220SIS

Technologie
MOSFET (Metal Oxide)

Verlustleistung (max.)
45W (Tc)

FET-Typ
N-Channel

FET-Funktion
-

Drain-Source-Spannung (Vdss)
600 V

Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C
15A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs
370mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs(th) (Max) @Id
4V @ 2.04mA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
55 nC @ 10 V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
2200 pF @ 300 V

Vgs (Max)
±30V

Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On)
10V

Product Introduction
Beispielanwendung
Verpackung
FAQ

TK370A60F,S4X(S Garantien

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Unser anhaltender Erfolg ist das Ergebnis einer kontinuierlichen Optimierung der Produktqualität und -zuverlässigkeit, der Optimierung von Service und Geschäftsprozessen.

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Toshiba Semiconductor and Storage is a company dedicated to the research, development, production, and sales of semiconductor and storage solutions. In 1875, Toshiba Semiconductor and Storage was founded in Tokyo, Japan. The company's products...

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Quantity: Bestätigen

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TK370A60F,S4X(S Sample Request

Products Packaging Flow Chart

Packing Details

FAQ:

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Kategorie	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung	MOSFET N-CH
Paket	Box
Serie	U-MOSIX
Betriebstemperatur	150°C
Montageart	Through Hole
Paket/Koffer	TO-220-3 Full Pack
Gerätepaket des Lieferanten	TO-220SIS
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Verlustleistung (max.)	45W (Tc)
FET-Typ	N-Channel
FET-Funktion	-
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600 V
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	370mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @Id	4V @ 2.04mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	55 nC @ 10 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	2200 pF @ 300 V
Vgs (Max)	±30V
Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On)	10V

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