Toshiba Semiconductor and Storage TK3A65DA(STA4,QM)
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- TK3A65DA(STA4,QM)
- Toshiba Semiconductor and Storage
- MOSFET N-CH 650V 2.5A TO220SIS
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TK3A65DA(STA4,QM) Datenblatt
- TO-220-3 Full Pack
- Tape & Reel (TR)
-
Lead free / RoHS Compliant - 1961
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
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| Teilenummer TK3A65DA(STA4,QM) |
| Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage |
| Beschreibung MOSFET N-CH 650V 2.5A TO220SIS |
| Paket Tape & Reel (TR) |
| Serie π-MOSVII |
| Betriebstemperatur 150°C (TJ) |
| Montageart Through Hole |
| Paket/Koffer TO-220-3 Full Pack |
| Gerätepaket des Lieferanten TO-220SIS |
| Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
| Verlustleistung (max.) 35W (Tc) |
| FET-Typ N-Channel |
| FET-Funktion - |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 2.5A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.51Ohm @ 1.3A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @Id 4.4V @ 1mA |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 11 nC @ 10 V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 490 pF @ 25 V |
| Vgs (Max) ±30V |
| Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 10V |
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