Toshiba Semiconductor and Storage TK3P50D,RQ(S
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- TK3P50D,RQ(S
- Toshiba Semiconductor and Storage
- MOSFET N-CH 500V 3A DPAK
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TK3P50D,RQ(S Datenblatt
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Cut Tape (CT)
-
Lead free / RoHS Compliant - 4887
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| Teilenummer TK3P50D,RQ(S |
| Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage |
| Beschreibung MOSFET N-CH 500V 3A DPAK |
| Paket Cut Tape (CT) |
| Serie - |
| Betriebstemperatur 150°C (TJ) |
| Montageart Surface Mount |
| Paket/Koffer TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Gerätepaket des Lieferanten DPAK |
| Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
| Verlustleistung (max.) 60W (Tc) |
| FET-Typ N-Channel |
| FET-Funktion - |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 3A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 3Ohm @ 1.5A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @Id 4.4V @ 1mA |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 7 nC @ 10 V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 280 pF @ 25 V |
| Vgs (Max) ±30V |
| Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 10V |
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