Toshiba Semiconductor and Storage TK50P04M1(T6RSS-Q)
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- TK50P04M1(T6RSS-Q)
- Toshiba Semiconductor and Storage
- MOSFET N-CH 40V 50A DP
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TK50P04M1(T6RSS-Q) Datenblatt
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- -Reel®
-
Lead free / RoHS Compliant - 3564
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
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| Teilenummer TK50P04M1(T6RSS-Q) |
| Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage |
| Beschreibung MOSFET N-CH 40V 50A DP |
| Paket -Reel® |
| Serie U-MOSVI-H |
| Betriebstemperatur 150°C (TJ) |
| Montageart Surface Mount |
| Paket/Koffer TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Gerätepaket des Lieferanten D-Pak |
| Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
| Verlustleistung (max.) 60W (Tc) |
| FET-Typ N-Channel |
| FET-Funktion - |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 50A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.7mOhm @ 25A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @Id 2.3V @ 500µA |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 38 nC @ 10 V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 2600 pF @ 10 V |
| Vgs (Max) ±20V |
| Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 4.5V, 10V |
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