Toshiba Semiconductor and Storage TK60D08J1(Q)
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- TK60D08J1(Q)
- Toshiba Semiconductor and Storage
- MOSFET N-CH 75V 60A TO220
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TK60D08J1(Q) Datenblatt
- TO-220-3
- -Reel®
-
Lead free / RoHS Compliant - 3197
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
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| Teilenummer TK60D08J1(Q) |
| Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage |
| Beschreibung MOSFET N-CH 75V 60A TO220 |
| Paket -Reel® |
| Serie - |
| Betriebstemperatur 150°C (TJ) |
| Montageart Through Hole |
| Paket/Koffer TO-220-3 |
| Gerätepaket des Lieferanten TO-220(W) |
| Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
| Verlustleistung (max.) 140W (Tc) |
| FET-Typ N-Channel |
| FET-Funktion - |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) 75 V |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 60A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.8mOhm @ 30A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @Id 2.3V @ 1mA |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 86 nC @ 10 V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 5450 pF @ 10 V |
| Vgs (Max) ±20V |
| Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 4.5V, 10V |
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