TP65H150LSG

Transphorm TP65H150LSG

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  • TP65H150LSG
  • Transphorm
  • GANFET N-CH 650V 15A 3PQFN
  • Transistors - FETs, MOSFETs - Single
  • TP65H150LSG Datenblatt
  • 3-PowerDFN
  • Tube
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 1748
  • Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
  • 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Teilenummer
TP65H150LSG
Kategorie
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Hersteller
Transphorm
Beschreibung
GANFET N-CH 650V 15A 3PQFN
Paket
Tube
Serie
-
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart
Surface Mount
Paket/Koffer
3-PowerDFN
Gerätepaket des Lieferanten
3-PQFN (8x8)
Technologie
GaNFET (Gallium Nitride)
Verlustleistung (max.)
69W (Tc)
FET-Typ
N-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C
15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
180mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @Id
4.8V @ 500µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
7.1 nC @ 10 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
576 pF @ 400 V
Vgs (Max)
±20V
Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On)
10V

TP65H150LSG Garantien

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