TPAR3D S1G

Taiwan Semiconductor Corporation TPAR3D S1G

Das Bild dient nur als Referenz, bitte beachten Sie die Produktspezifikation

  • TPAR3D S1G
  • Taiwan Semiconductor Corporation
  • DIODE AVALANCHE 200V 3A TO277A
  • Diodes - Rectifiers - Single
  • TPAR3D S1G Datenblatt
  • TO-277, 3-PowerDFN
  • -Reel®
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 1106
  • Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
  • 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Teilenummer
TPAR3D S1G
Kategorie
Diodes - Rectifiers - Single
Hersteller
Taiwan Semiconductor Corporation
Beschreibung
DIODE AVALANCHE 200V 3A TO277A
Paket
-Reel®
Serie
-
Montageart
Surface Mount
Paket/Koffer
TO-277, 3-PowerDFN
Gerätepaket des Lieferanten
TO-277A (SMPC)
Diodentyp
Avalanche
Strom – Durchschnittlich gleichgerichtet (Io)
3A
Spannung – Vorwärts (Vf) (Max) @ If
1.55 V @ 3 A
Strom – Rückwärtsleckage bei Vr
10 µA @ 200 V
Kapazität@Vr,F
58pF @ 4V, 1MHz
Spannung – DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)
200 V
Geschwindigkeit
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)
120 ns
Betriebstemperatur – Verbindungsstelle
-55°C ~ 175°C

TPAR3D S1G Garantien

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