Taiwan Semiconductor Corporation TPAR3J S1G
- TPAR3J S1G
- Taiwan Semiconductor Corporation
- DIODE AVALANCHE 600V 3A TO277A
- Diodes - Rectifiers - Single
- TPAR3J S1G Datenblatt
- TO-277, 3-PowerDFN
- Tape & Reel (TR)
-
Lead free / RoHS Compliant - 3959
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
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| Teilenummer TPAR3J S1G |
| Kategorie Diodes - Rectifiers - Single |
| Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation |
| Beschreibung DIODE AVALANCHE 600V 3A TO277A |
| Paket Tape & Reel (TR) |
| Serie - |
| Montageart Surface Mount |
| Paket/Koffer TO-277, 3-PowerDFN |
| Gerätepaket des Lieferanten TO-277A (SMPC) |
| Diodentyp Avalanche |
| Strom – Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) 3A |
| Spannung – Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.55 V @ 3 A |
| Strom – Rückwärtsleckage bei Vr 10 µA @ 600 V |
| Kapazität@Vr,F 58pF @ 4V, 1MHz |
| Spannung – DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 600 V |
| Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) 120 ns |
| Betriebstemperatur – Verbindungsstelle -55°C ~ 175°C |
TPAR3J S1G Garantien



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Bemerkungen
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