Toshiba Semiconductor and Storage TPC8035-H(TE12L,QM
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- TPC8035-H(TE12L,QM
- Toshiba Semiconductor and Storage
- MOSFET N-CH 30V 18A 8SOP
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TPC8035-H(TE12L,QM Datenblatt
- 8-SOIC (0.173\", 4.40mm Width)
- Cut Tape (CT)
-
Lead free / RoHS Compliant - 3953
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| Teilenummer TPC8035-H(TE12L,QM |
| Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage |
| Beschreibung MOSFET N-CH 30V 18A 8SOP |
| Paket Cut Tape (CT) |
| Serie U-MOSVI-H |
| Betriebstemperatur 150°C (TJ) |
| Montageart Surface Mount |
| Paket/Koffer 8-SOIC (0.173\", 4.40mm Width) |
| Gerätepaket des Lieferanten 8-SOP (5.5x6.0) |
| Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
| Verlustleistung (max.) 1W (Ta) |
| FET-Typ N-Channel |
| FET-Funktion - |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 18A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.2mOhm @ 9A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @Id 2.3V @ 1mA |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 82 nC @ 10 V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 7800 pF @ 10 V |
| Vgs (Max) ±20V |
| Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 4.5V, 10V |
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