Toshiba Semiconductor and Storage TPC8109(TE12L)
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- TPC8109(TE12L)
- Toshiba Semiconductor and Storage
- MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOP
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TPC8109(TE12L) Datenblatt
- 8-SOIC (0.173\", 4.40mm Width)
- Cut Tape (CT)
-
Lead free / RoHS Compliant - 12942
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| Teilenummer TPC8109(TE12L) |
| Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage |
| Beschreibung MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOP |
| Paket Cut Tape (CT) |
| Serie - |
| Betriebstemperatur - |
| Montageart Surface Mount |
| Paket/Koffer 8-SOIC (0.173\", 4.40mm Width) |
| Gerätepaket des Lieferanten 8-SOP (5.5x6.0) |
| Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
| Verlustleistung (max.) - |
| FET-Typ P-Channel |
| FET-Funktion - |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 10A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 5A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @Id 2V @ 1mA |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 45 nC @ 10 V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 2260 pF @ 10 V |
| Vgs (Max) - |
| Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) - |
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