Toshiba Semiconductor and Storage TPC8212-H(TE12LQ,M
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- TPC8212-H(TE12LQ,M
- Toshiba Semiconductor and Storage
- MOSFET 2N-CH 30V 6A SOP8
- Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
- TPC8212-H(TE12LQ,M Datenblatt
- 8-SOIC (0.173\", 4.40mm Width)
- Tape & Reel (TR)
-
Lead free / RoHS Compliant - 23954
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
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| Teilenummer TPC8212-H(TE12LQ,M |
| Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage |
| Beschreibung MOSFET 2N-CH 30V 6A SOP8 |
| Paket Tape & Reel (TR) |
| Serie - |
| Betriebstemperatur 150°C (TJ) |
| Montageart Surface Mount |
| Paket/Koffer 8-SOIC (0.173\", 4.40mm Width) |
| Gerätepaket des Lieferanten 8-SOP (5.5x6.0) |
| Power-Max 450mW |
| FET-Typ 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Funktion Logic Level Gate |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 6A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 21mOhm @ 3A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @Id 2.3V @ 1mA |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 16nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 840pF @ 10V |
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