Toshiba Semiconductor and Storage TPH8R008NH,L1Q
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- TPH8R008NH,L1Q
- Toshiba Semiconductor and Storage
- MOSFET N-CH 80V 34A 8SOP
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TPH8R008NH,L1Q Datenblatt
- 8-PowerVDFN
- Cut Tape (CT)
-
Lead free / RoHS Compliant - 4608
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| Teilenummer TPH8R008NH,L1Q |
| Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage |
| Beschreibung MOSFET N-CH 80V 34A 8SOP |
| Paket Cut Tape (CT) |
| Serie U-MOSVIII-H |
| Betriebstemperatur 150°C (TJ) |
| Montageart Surface Mount |
| Paket/Koffer 8-PowerVDFN |
| Gerätepaket des Lieferanten 8-SOP Advance (5x5) |
| Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
| Verlustleistung (max.) 1.6W (Ta), 61W (Tc) |
| FET-Typ N-Channel |
| FET-Funktion - |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) 80 V |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 34A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 8mOhm @ 17A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @Id 4V @ 500µA |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 35 nC @ 10 V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 3000 pF @ 40 V |
| Vgs (Max) ±20V |
| Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 10V |
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