Toshiba Semiconductor and Storage TPHR9003NL,L1Q
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- TPHR9003NL,L1Q
- Toshiba Semiconductor and Storage
- MOSFET N-CH 30V 60A 8SOP
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TPHR9003NL,L1Q Datenblatt
- 8-PowerVDFN
- Cut Tape (CT)
-
Lead free / RoHS Compliant - 13156
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| Teilenummer TPHR9003NL,L1Q |
| Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage |
| Beschreibung MOSFET N-CH 30V 60A 8SOP |
| Paket Cut Tape (CT) |
| Serie U-MOSVIII-H |
| Betriebstemperatur 150°C (TJ) |
| Montageart Surface Mount |
| Paket/Koffer 8-PowerVDFN |
| Gerätepaket des Lieferanten 8-SOP Advance (5x5) |
| Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
| Verlustleistung (max.) 1.6W (Ta), 78W (Tc) |
| FET-Typ N-Channel |
| FET-Funktion - |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 60A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 0.9mOhm @ 30A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @Id 2.3V @ 1mA |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 74 nC @ 10 V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 6900 pF @ 15 V |
| Vgs (Max) ±20V |
| Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 4.5V, 10V |
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