Taiwan Semiconductor Corporation TQM130NB06CR RLG
- TQM130NB06CR RLG
- Taiwan Semiconductor Corporation
- MOSFET N-CH 60V 10A/50A 8PDFNU
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TQM130NB06CR RLG Datenblatt
- 8-PowerTDFN
- Bulk
-
Lead free / RoHS Compliant - 14250
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| Teilenummer TQM130NB06CR RLG |
| Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation |
| Beschreibung MOSFET N-CH 60V 10A/50A 8PDFNU |
| Paket Bulk |
| Serie Automotive, AEC-Q101 |
| Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montageart Surface Mount, Wettable Flank |
| Paket/Koffer 8-PowerTDFN |
| Gerätepaket des Lieferanten PDFN56U |
| Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
| Verlustleistung (max.) 3.1W (Ta), 83W (Tc) |
| FET-Typ N-Channel |
| FET-Funktion - |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 10A (Ta), 50A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 13mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @Id 3.8V @ 250µA |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 40 nC @ 10 V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 2234 pF @ 30 V |
| Vgs (Max) ±20V |
| Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 7V, 10V |
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