Toshiba Semiconductor and Storage TRS8E65F,S1Q
- TRS8E65F,S1Q
- Toshiba Semiconductor and Storage
- DODE SCHOTTKY 650V TO220
- Diodes - Rectifiers - Single
- TRS8E65F,S1Q Datenblatt
- TO-220-2
- Tube
-
Lead free / RoHS Compliant
- 28243
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
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Teilenummer TRS8E65F,S1Q |
Kategorie Diodes - Rectifiers - Single |
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage |
Beschreibung DODE SCHOTTKY 650V TO220 |
Paket Tube |
Serie - |
Montageart Through Hole |
Paket/Koffer TO-220-2 |
Gerätepaket des Lieferanten TO-220-2L |
Diodentyp Silicon Carbide Schottky |
Strom – Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) 8A (DC) |
Spannung – Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.6 V @ 8 A |
Strom – Rückwärtsleckage bei Vr 40 µA @ 650 V |
Kapazität@Vr,F 28pF @ 650V, 1MHz |
Spannung – DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 650 V |
Geschwindigkeit No Recovery Time > 500mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) 0 ns |
Betriebstemperatur – Verbindungsstelle 175°C (Max) |
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