Taiwan Semiconductor Corporation TSM048NB06LCR RLG
- TSM048NB06LCR RLG
- Taiwan Semiconductor Corporation
- MOSFET N-CH 60V 16A/107A 8PDFN
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TSM048NB06LCR RLG Datenblatt
- 8-PowerTDFN
- -Reel®
-
Lead free / RoHS Compliant
- 3743
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Teilenummer TSM048NB06LCR RLG |
Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation |
Beschreibung MOSFET N-CH 60V 16A/107A 8PDFN |
Paket -Reel® |
Serie - |
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) |
Montageart Surface Mount |
Paket/Koffer 8-PowerTDFN |
Gerätepaket des Lieferanten 8-PDFN (5x6) |
Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
Verlustleistung (max.) 3.1W (Ta), 136W (Tc) |
FET-Typ N-Channel |
FET-Funktion - |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 16A (Ta), 107A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.8mOhm @ 16A, 10V |
Vgs(th) (Max) @Id 2.5V @ 250µA |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 105 nC @ 10 V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 6253 pF @ 30 V |
Vgs (Max) ±20V |
Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 4.5V, 10V |
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