Taiwan Semiconductor Corporation TSM110NB04DCR RLG
- TSM110NB04DCR RLG
- Taiwan Semiconductor Corporation
- DUAL N-CHANNEL POWER MOSFET 40V,
- Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
- TSM110NB04DCR RLG Datenblatt
- 8-PowerTDFN
- Cut Tape (CT)
-
Lead free / RoHS Compliant
- 29419
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Teilenummer TSM110NB04DCR RLG |
Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation |
Beschreibung DUAL N-CHANNEL POWER MOSFET 40V, |
Paket Cut Tape (CT) |
Serie - |
Betriebstemperatur -55°C ~ 155°C (TJ) |
Montageart Surface Mount |
Paket/Koffer 8-PowerTDFN |
Gerätepaket des Lieferanten 8-PDFN (5x6) |
Power-Max 2W (Ta), 48W (Tc) |
FET-Typ 2 N-Channel (Dual) |
FET-Funktion Standard |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40V |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 10A (Ta), 48A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11mOhm @ 10A, 10V |
Vgs(th) (Max) @Id 4V @ 250µA |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 1506pF @ 20V |
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Bemerkungen
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