TSM110NB04DCR RLG

Taiwan Semiconductor Corporation TSM110NB04DCR RLG

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  • TSM110NB04DCR RLG
  • Taiwan Semiconductor Corporation
  • DUAL N-CHANNEL POWER MOSFET 40V,
  • Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
  • TSM110NB04DCR RLG Datenblatt
  • 8-PowerTDFN
  • Cut Tape (CT)
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 29419
  • Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
  • 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Teilenummer
TSM110NB04DCR RLG
Kategorie
Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Hersteller
Taiwan Semiconductor Corporation
Beschreibung
DUAL N-CHANNEL POWER MOSFET 40V,
Paket
Cut Tape (CT)
Serie
-
Betriebstemperatur
-55°C ~ 155°C (TJ)
Montageart
Surface Mount
Paket/Koffer
8-PowerTDFN
Gerätepaket des Lieferanten
8-PDFN (5x6)
Power-Max
2W (Ta), 48W (Tc)
FET-Typ
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion
Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss)
40V
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C
10A (Ta), 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
11mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @Id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
25nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
1506pF @ 20V

TSM110NB04DCR RLG Garantien

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