Taiwan Semiconductor Corporation TSM60NB190CM2 RNG
- TSM60NB190CM2 RNG
- Taiwan Semiconductor Corporation
- MOSFET N-CH 600V 18A TO263
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TSM60NB190CM2 RNG Datenblatt
- TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Tube
-
Lead free / RoHS Compliant
- 2830
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
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Teilenummer TSM60NB190CM2 RNG |
Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation |
Beschreibung MOSFET N-CH 600V 18A TO263 |
Paket Tube |
Serie - |
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montageart Surface Mount |
Paket/Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Gerätepaket des Lieferanten TO-263 (D²Pak) |
Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
Verlustleistung (max.) 150.6W (Tc) |
FET-Typ N-Channel |
FET-Funktion - |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 18A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs 190mOhm @ 6A, 10V |
Vgs(th) (Max) @Id 4V @ 250µA |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 31 nC @ 10 V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 1273 pF @ 100 V |
Vgs (Max) ±30V |
Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 10V |
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