Taiwan Semiconductor Corporation TSM80N1R2CI C0G
- TSM80N1R2CI C0G
- Taiwan Semiconductor Corporation
- MOSFET N-CH 800V 5.5A ITO220AB
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TSM80N1R2CI C0G Datenblatt
- TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
- Tube
-
Lead free / RoHS Compliant
- 3906
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
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Teilenummer TSM80N1R2CI C0G |
Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation |
Beschreibung MOSFET N-CH 800V 5.5A ITO220AB |
Paket Tube |
Serie - |
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montageart Through Hole |
Paket/Koffer TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
Gerätepaket des Lieferanten ITO-220AB |
Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
Verlustleistung (max.) 25W (Tc) |
FET-Typ N-Channel |
FET-Funktion - |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 800 V |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 5.5A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2Ohm @ 1.8A, 10V |
Vgs(th) (Max) @Id 4V @ 250µA |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 19.4 nC @ 10 V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 685 pF @ 100 V |
Vgs (Max) ±30V |
Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 10V |
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