Taiwan Semiconductor Corporation TSM900N10CH X0G
- TSM900N10CH X0G
- Taiwan Semiconductor Corporation
- MOSFET N-CH 100V 15A TO251
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TSM900N10CH X0G Datenblatt
- TO-251-3 Stub Leads, IPak
- Cut Tape (CT)
-
Lead free / RoHS Compliant
- 1965
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
- 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Teilenummer TSM900N10CH X0G |
Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation |
Beschreibung MOSFET N-CH 100V 15A TO251 |
Paket Cut Tape (CT) |
Serie - |
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montageart Through Hole |
Paket/Koffer TO-251-3 Stub Leads, IPak |
Gerätepaket des Lieferanten TO-251 (IPAK) |
Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
Verlustleistung (max.) 50W (Tc) |
FET-Typ N-Channel |
FET-Funktion - |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 15A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90mOhm @ 5A, 10V |
Vgs(th) (Max) @Id 2.5V @ 250µA |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 9.3 nC @ 10 V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 1480 pF @ 50 V |
Vgs (Max) ±20V |
Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 4.5V, 10V |
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